集成電路的制造過(guò)程主要以晶圓為基本材料,經(jīng)過(guò)表面氧化膜的形成和感光劑的涂布后,結合光罩進(jìn)行曝光、顯像,使晶圓上形成各類(lèi)型的電路,再經(jīng)蝕刻、光阻液的去除及不純物的添加后,進(jìn)行金屬蒸發(fā),使各元件的線(xiàn)路及電極得以形成,后進(jìn)行晶圓探針檢測;然后切割成芯片,再經(jīng)粘著(zhù)、連線(xiàn)及包裝等組配工程而成電子產(chǎn)品。各主要制程單元概述如下:
氧化與模附著(zhù)
原料晶圓在投入制程前,本身表面涂有2μm厚的AI2O3,與甘油混合溶液保護之,晶圓的表面及角落的污損區域則藉化學(xué)蝕刻去除。
為制成不同的元件及集成電路,在芯片長(cháng)上不同的薄層,這些薄層可分為四類(lèi):熱氧化物,介質(zhì)層,硅晶聚合物及金屬層。熱氧化物中重要的薄層有閘極氧化層(gate oxide;與場(chǎng)氧化層(field oxide),此二層均由熱氧化程序制造。
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