圓片在基區擴散后,發(fā)射區擴散前都要做先行片,由先行片的實(shí)驗工藝條件來(lái)指導批量生產(chǎn),在測試前需要進(jìn)行特性光刻開(kāi)特性孔,特性光刻后進(jìn)行前處理:在加熱到(75±5)℃的2號液中煮一段時(shí)間,然后再進(jìn)行H2處理,后利用四探針測試儀測試晶體管的特性。
H2處理的工藝溫度為500℃,進(jìn)行H2處理的目的是為了改善硅片表面的表面態(tài)密度,由于硅片特性光刻后在表面形成很多硅的懸掛鍵,即存在很多表面態(tài),通過(guò)H2處理可以將硅懸掛鍵和氫鍵結合從而減少界面態(tài),如果不進(jìn)行H2處理,特性測試不出來(lái)。
對于三極管(小功率和大功率)來(lái)說(shuō),主要是雙結測試,主要測試參數有BVCBO、BVCEO、BVEBO、HFE,如果HFE偏小,則需要追加擴散,一般擴散時(shí)間越長(cháng),HFE越大,當然HFE均勻性也很重要,不能太離散。對于大功率晶體管還需要在基區擴散后進(jìn)行單結,主要測試BVCBO。
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